Data Sheet PG10456EJ03V0DS
3
NE3503M04
TYPICAL CHARACTERISTICS
(TA
= +25?C,
unless otherwise specified)
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
NE3508M04-T2-A
AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NE3509M04-A
AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
NE3510M04-T2-A
FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04
NE3511S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3514S02-A
HJ-FET NCH 10DB S02
NE3515S02-T1C-A
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3517S03-A
FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
相关代理商/技术参数
NE3503M04-T2B-A
制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
NE3505M04-A
制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
NE3508M04
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR
NE3508M04-A
功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3508M04-EVNF23
功能描述:射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3508M04-EVNF23-A
功能描述:射频开发工具 L to S band LNA Eval Brd RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V
NE3508M04-T2
制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR
NE3508M04-T2-A
功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: